TECHNO-FRONTIER 2017 技術シンポジウム 幕張メッセ・国際会議場 第3回国際ドローンシンポジウム
第32回電源システム技術シンポジウム
※プログラム内容(スピーカ、コーディネータ、発表テーマ、内容等)が変更になる事がありますので予めご了承ください。
4月19日(水) 10:00 - 12:45 D1 革新に挑むMHz高周波スイッチング電源技術
14:15 - 17:00 D2 次世代自動車に求められる最新電源技術
4月20日(木) 10:00 - 12:45 D3 次世代パワエレ発展の鍵を握る受動部品の課題と今後の展開
14:15 - 17:00 D4 SiC/GaNパワーデバイスの適用拡大に向けた最新状況と課題
4月21日(金) 10:00 - 12:45 D5 チュートリアル:ステップアップ!
スイッチング電源システム設計技術の基礎
14:15 - 17:00 D6 最先端手法を駆使したパワエレ実践設計技術
 コーディネータ  (敬称略)
4月19日(水)
10:00〜12:45
D1
革新に挑むMHz高周波スイッチング電源技術
1
低電圧大電流時代のMHzアナログ/デジタル制御POLコンバータの実現と展望
  • 半導体の高集積高密度化の進展でCPUやFPGAのコア電圧が下がっている
  • 当社は業界でいち早く超高速応答のPOLコンバータを製品化して来た
  • 半導体のコア電圧が1Vを切りPOLコンバータは新たな対応が求められている
鈴木 正太郎
潟xルニクス 代表取締役会長 兼 ベルニクスイノベーション研究所長
2
IoT・ウエアラブル機器の小型化・低電力化に向けたMHz集積電源回路システム
  • プロセッサの低電力に向けたMHzオンチップ集積電源
  • IoT向けエネルギーハーベスティング用電源回路
  • ウエアラブル向け超薄型機器におけるワイヤレス給電
高宮 真
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター 准教授
3
数10MHz級Power-SoC電源の現状と課題
  • Power-SoCにおける海外の学術と産業動向
  • 数10MHz級Power-SoCの技術課題
  • 数10MHz級Power-SoC実現へ向けた取り組み(受動部品、制御技術等)
安部 征哉
九州工業大学 大学院 生命体工学研究科 准教授
細谷 達也
椛コ田製作所 技術・事業開発本部 新規技術センター プリンシパルリサーチャー
パワエレの歴史は、小型化に向けたスイッチング電源での高周波化の歴史と言っても過言ではなく、kHzからMHzへの技術革新が小規模回路から進んでいます。オープニングセッションは、次世代技術の開発推進と新たな適用拡大を目的に企画しています。@N-Uロケットやニュートリノ観測などの特殊電源をも手掛ける企業が取り組む低電圧大電流MHz POLコンバータ技術、AIoTやワイヤレス給電など近未来での適用拡大を拓く新たな電源技術、B小型薄型の最先端をリードする電源集積化技術、などについて解説をいただきます。技術革新をリードする開発者や現場で苦労する技術者が理解を深め、新しい発想や創意工夫を生み出すことを期待し応援します。
 
14:15〜17:00
D2
次世代自動車に求められる最新電源技術
1
次世代自動車(EV)の市場動向と電源システムへの影響
  • EVの市場動向
  • 激変する欧州完成車メーカー/サプライヤーの動向
  • 電源システムへの影響
大橋 譲
潟香[ランド・ベルガー パートナー
2
電気自動車向けワイヤレス給電システム技術の最新動向
  • ワイヤレス化の背景と市場動向について
  • アメリカ自動車技術会(SAE)での標準化の現状と今後について
  • ワイヤレス給電を実現する技術について
    @送受電コイルとインピーダンスマッチング A駆動電源の設計・制御と安全・便利機能
渡辺 一史
TDK 技術本部 エネルギーデバイス開発センター パワーデバイス開発室 室長
3
48Vテクノロジーによるマイルドハイブリッドソリューション
  • 電動化のトレンド
  • 48V技術の製品ロードマップ
  • 48Vシステムソリューション
橋 明博
潟買@レオジャパン 日本パワートレインシステム ビジネスグループ
リサーチアンドディベロップメント ディレクター
上野 政則
竃{田技術研究所 汎用R&Dセンター 第3開発室 PG電装ブロック 主任研究員
近年、環境問題の観点から自動車のパワートレインの電動化が進み、48V電源化やワイヤレス給電などの技術が注目されています。
本セッションでは、このようなトレンドの中、次世代自動車の今後の方向性と電源システムへの影響について解説していただきます。続いて、電動車の普及に伴い価値を発揮してくるワイヤレス給電システム技術の原理や設計手法について、さらに、電動化のトレンドや48V化へのソリューション技術について詳しく解説していただきます。
国内外の最新技術動向を幅広くご提供する貴重な機会となりますので、第一線で活躍する技術者の方から技術企画を担当する方まで、今後の製品開発や事業戦略にご活用いただければ幸いです。
※カーエレクトロニクス技術シンポジウムD2セッションとの共通プログラムです。
 
4月20日(木)
10:00〜12:45
D3
次世代パワエレ発展の鍵を握る受動部品の課題と今後の展開
1
パワエレ機器における受動デバイスの重要性
  • パワエレ機器の高電力密度化の進展とその課題
  • インダクタの評価方法と特性改善
  • キャパシタの評価方法と特性改善
清水 敏久
首都大学東京 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻 教授
2
高周波大容量を見据えたトランス・リアクトルについて
  • トランス・リアクトルの損失について
  • 高周波コアの取り組みについて
  • 高周波や大容量巻線について
長井 真一郎
ポニー電機 専務取締役
3
SiC/GaNパワーデバイス制御におけるコンデンサの現状課題と取り組み
  • コンデンサ全般における現状課題
  • アルミ電解コンデンサの現状課題
  • フィルムコンデンサの現状課題
山中 和也
ニチコン コンデンサ事業本部 事業戦略室 主任
安立 智哉
ニチコン草津 フィルム・装置グループ フィルム装置技術課 主任技師
安原 克志
TDK 生産本部 モノづくりセンター リーダー
パワーエレクトロニクス機器の小型・大容量、省エネ化はとどまるところを知りません。SiCやGaNに代表される次世代パワー半導体は電源システムに大きな変化をもたらし、受動部品にも更なる進化が求められています。
本セッションでは磁気デバイスとキャパシタに関する最新技術と将来動向を紹介します。インダクタおよびキャパシタの評価技術と特性向上、高周波・大容量化を見据えたトランス・リアクトルのコアおよび巻線技術、SiC・GaNパワーデバイスの実用化に向けたコンデンサの課題と取り組みについてご講演いただきます。聴講される皆様にとって、今後の製品開発の大きなヒントになるものと考えます。
 
14:15〜17:00
D4
SiC/GaNパワーデバイスの適用拡大に向けた最新状況と課題
1
Powering the future - SiC opens up new horizons for power electronics
  • Device technologies - challenges and options
  • How can certain applications gain from SiC ?
  • Cost performance advantage of SiC vs. silicon
Peter Friedrichs
Infineon Technologies AG, IFAG IPC T Senior Director SiC  ※同時通訳有
2
GaNパワーデバイスの完成度とその応用例
  • GaNトランジスタの基礎とその特長
  • 駆動方法と最新の応用例
  • 量産に向けた信頼性
森田 竜夫
パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 技術本部
欧州技術開発センター 主幹技師
3
SiCパワーデバイスの普及拡大への課題と今後
  • SiCデバイスのパワーエレクトロニクスシステムへの適用例
  • 新デバイスと新回路トポロジー
  • 今後発展を期待する技術と適用分野
伊東 淳一
長岡技術科学大学 技術科学イノベーション専攻 准教授
臼井 浩
サンケン電気 パワーシステム本部 パワーマーケティング統括部 PM技術部 技術2課長
近年、スーパージャンクションMOS-FETの登場により中電圧領域での大幅な効率改善が実現されました。しかし、高電圧領域での適応デバイスはIGBTであり大幅な効率改善が進んでいません。
そこで最近になって実用化され始めたのが、SiCやGaNデバイスです。Si系デバイスよりも高耐圧化が可能であり、これまでなかなか対応できなかった重電系に、大幅な効率改善の道が開けました。
本セッションでは、これらのSiC・GaNデバイスについて、初めにベンダー側からの最新の開発状況と将来展望をご紹介いただきます。次に、ユーザー側からの特性面での普及の妨げとなる課題や解決方法についてご紹介いただきます。これらにより、今後、更なる適用範囲の拡大に拍車が掛かる事を期待します。
 
4月21日(金)
10:00〜12:45
D5
チュートリアル:ステップアップ!スイッチング電源システム設計技術の基礎
1
数式から発見!見えないものが見えてくるパワーステージ設計
  • 半導体スイッチ素子の理想的ではない振る舞い
  • ゼロ電圧スイッチング(ZVS)の勘どころ
  • 磁気部品の様々な損失や寄生成分を分解
西嶋 仁浩
大分大学 工学部 電気電子工学科 助教
2
デジタル制御技術と応用設計法
  • フィードバックとフィードフォワード制御の概要
  • 従来型アナログ制御の離散化によるデジタル制御技術と応用設計法
  • 最新の回路動作に対応したデジタル制御技術と応用設計法
田本 貞治
パワエレ技術研究所 所長
東京大学総括プロジェクト機構
「電力ネットワークイノベーション(デジタルグリッド)」総括寄付講座 特任研究員
鍋島 隆
大分大学 工学部 電気電子工学科 教授
昨年から新たに企画しましたチュートリアルは若い参加者も多く大変好評でした。今年は、電源システム設計に必要な基礎知識と応用法についてより理解を深めて頂くため、1講演あたりの時間を昨年より長めに設定し2部構成としています。
第1部のパワーステージ編では、高周波動作で問題となる半導体スイッチ素子と磁気部品の損失について、そのメカニズムと定量的な数式を分かり易く説明し、高効率電源設計の勘どころについて解説します。第2部の制御編では、昨今当たり前となりつつあるディジタル制御について、従来のアナログ制御と対比させながら、その基本的な考え方と応用設計について具体的に解説します。
これら2件の講演は、電源システム設計技術の基礎を身につける上で大いに役立つ内容と考えます。
 
14:15〜17:00
D6
最先端手法を駆使したパワエレ実践設計技術
1
パワエレ機器の設計期間短縮に向けたシミュレーション技術
  • 伝導ノイズを改善する解析手法
  • 局所発熱を再現する電気-熱連成解析手法
  • クラスタマシンによる計算時間短縮検討
加藤 久賀
パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社
インダストリアル事業開発センター 解析・サポート部 課長
2
変換効率99%を実現した5kW級SiCインバータ開発の実際
  • 第3世代SiC-MOSの実力評価
  • SiCデバイスの駆動回路・実装時の注意点
  • 5kW SiCインバータの設計と試作
大嶽 浩隆
ローム ディスクリート生産本部 研究開発部 SiC応用技術開発グループ グループリーダー
3
SiC・GaNパワーデバイスを用いた高効率電源の実装と冷却技術の実践
  • SiC・GaNパワーデバイスを用いた電力変換器の紹介
  • 高周波化・大容量化に伴う実装技術の課題と解決策
  • 最新の冷却技術と実装技術
宮脇 慧
長岡パワーエレクトロニクス 常務取締役
伊東 淳一
長岡技術科学大学 技術科学イノベーション専攻 准教授
パワーエレクトロニクス機器はSiCやGaNなどの超高速デバイスの出現により、大容量の世界でも高周波化、高パワー密度化が進められています。これらのデバイスを使いこなすには、特にノイズ抑制、低インダクタンスや冷却技術が重要となっており、実装技術がますます注目されています。
本セッションではシミュレーションや簡単な解析を用いて、効率よく高度な実装を実現する手法や超高速デバイスを実装する際に注意すべき点や設計の考え方など、実践的な部分について詳細に解説していただきます。
本セッションがSiCやGaNの使いこなし技術の発展に寄与し、パワエレの回路、基板設計者の一助となれば幸いです。