パワエレの歴史は、小型化に向けたスイッチング電源での高周波化の歴史と言っても過言ではなく、kHzからMHzへの技術革新が小規模回路から進んでいます。オープニングセッションは、次世代技術の開発推進と新たな適用拡大を目的に企画しています。①N-Ⅱロケットやニュートリノ観測などの特殊電源をも手掛ける企業が取り組む低電圧大電流MHz POLコンバータ技術、②IoTやワイヤレス給電など近未来での適用拡大を拓く新たな電源技術、③小型薄型の最先端をリードする電源集積化技術、などについて解説をいただきます。技術革新をリードする開発者や現場で苦労する技術者が理解を深め、新しい発想や創意工夫を生み出すことを期待し応援します。

近年、環境問題の観点から自動車のパワートレインの電動化が進み、48V電源化やワイヤレス給電などの技術が注目されています。
本セッションでは、このようなトレンドの中、次世代自動車の今後の方向性と電源システムへの影響について解説していただきます。続いて、電動車の普及に伴い価値を発揮してくるワイヤレス給電システム技術の原理や設計手法について、さらに、電動化のトレンドや48V化へのソリューション技術について詳しく解説していただきます。
国内外の最新技術動向を幅広くご提供する貴重な機会となりますので、第一線で活躍する技術者の方から技術企画を担当する方まで、今後の製品開発や事業戦略にご活用いただければ幸いです。

パワーエレクトロニクス機器の小型・大容量、省エネ化はとどまるところを知りません。SiCやGaNに代表される次世代パワー半導体は電源システムに大きな変化をもたらし、受動部品にも更なる進化が求められています。
本セッションでは磁気デバイスとキャパシタに関する最新技術と将来動向を紹介します。インダクタおよびキャパシタの評価技術と特性向上、高周波・大容量化を見据えたトランス・リアクトルのコアおよび巻線技術、SiC・GaNパワーデバイスの実用化に向けたコンデンサの課題と取り組みについてご講演いただきます。聴講される皆様にとって、今後の製品開発の大きなヒントになるものと考えます。

近年、スーパージャンクションMOS-FETの登場により中電圧領域での大幅な効率改善が実現されました。しかし、高電圧領域での適応デバイスはIGBTであり大幅な効率改善が進んでいません。
そこで最近になって実用化され始めたのが、SiCやGaNデバイスです。Si系デバイスよりも高耐圧化が可能であり、これまでなかなか対応できなかった重電系に、大幅な効率改善の道が開けました。
本セッションでは、これらのSiC・GaNデバイスについて、初めにベンダー側からの最新の開発状況と将来展望をご紹介いただきます。次に、ユーザー側からの特性面での普及の妨げとなる課題や解決方法についてご紹介いただきます。これらにより、今後、更なる適用範囲の拡大に拍車が掛かる事を期待します。

昨年から新たに企画しましたチュートリアルは若い参加者も多く大変好評でした。今年は、電源システム設計に必要な基礎知識と応用法についてより理解を深めて頂くため、1講演あたりの時間を昨年より長めに設定し2部構成としています。
第1部のパワーステージ編では、高周波動作で問題となる半導体スイッチ素子と磁気部品の損失について、そのメカニズムと定量的な数式を分かり易く説明し、高効率電源設計の勘どころについて解説します。第2部の制御編では、昨今当たり前となりつつあるディジタル制御について、従来のアナログ制御と対比させながら、その基本的な考え方と応用設計について具体的に解説します。
これら2件の講演は、電源システム設計技術の基礎を身につける上で大いに役立つ内容と考えます。

パワーエレクトロニクス機器はSiCやGaNなどの超高速デバイスの出現により、大容量の世界でも高周波化、高パワー密度化が進められています。これらのデバイスを使いこなすには、特にノイズ抑制、低インダクタンスや冷却技術が重要となっており、実装技術がますます注目されています。
本セッションではシミュレーションや簡単な解析を用いて、効率よく高度な実装を実現する手法や超高速デバイスを実装する際に注意すべき点や設計の考え方など、実践的な部分について詳細に解説していただきます。
本セッションがSiCやGaNの使いこなし技術の発展に寄与し、パワエレの回路、基板設計者の一助となれば幸いです。